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专利介绍
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基本信息
一种螺二芴类空穴传输材料的结构、合成及其应用
申请号 | CN201710025894.3 | 分类号 | |
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申请日期 | 2017-01-13 | 有效期 | |
公开日期 | 2019-04-23 | 公开号 | CN106800517B |
发明人/设计人 | 张**岩 | 权利人 | 南**学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开了一种螺二芴类空穴传输材料的结构、合成及其应用,该空穴传输材料为螺二芴类空穴传输材料,制备步骤为:将化合物1、螺二芴、叔丁醇钠、三叔丁基磷、三(二亚芐基丙酮)二钯和无水甲苯的混合体系在氩气保护下加热到105‑115℃,维持该温度反应10‑14小时;冷却后用乙酸乙酯萃取得有机相,有机相干燥浓缩后进行硅胶柱层析得到目的产物2,4‑spiro‑OMeTAD。本发明空穴传输材料2,4‑spiro‑OMeTAD空穴迁移率高,HOMO能级与钙钛矿价带匹配,稳定性好,溶解能力好,摩尔消光系数高,用其制成的钙钛矿太阳电池的光电转化效率高;其甲基位置的灵活变化方便后期进行结构修饰,容易实现紫外到近红外光区的光谱吸收;且商品化成本低。
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