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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
用于太赫兹波探测的器件的制备方法
申请号 | CN201710495199.3 | 分类号 | |
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申请日期 | 2017-06-26 | 有效期 | |
公开日期 | 2018-09-25 | 公开号 | CN107195729B |
发明人/设计人 | 孙**洋 | 权利人 | 苏*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明属于探测器技术领域,具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)为基本结构,通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层;然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极,得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率,得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置,最终实现对太赫兹波的探测。
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