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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
压力传感器敏感元件的制造工艺
申请号 | CN201310613099.8 | 分类号 | |
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申请日期 | 2013-11-27 | 有效期 | |
公开日期 | 2016-05-11 | 公开号 | CN103606565A |
发明人/设计人 | 程**襄 | 权利人 | 苏**司 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开一种压力传感器敏感元件的制造工艺,其第一、第二掺硼P型微晶硅条为由若干根沿径向排列的微晶硅电阻丝首尾连接组成;在杯形衬底附近通入高纯氧气与氩气的混合气体,混合气体氧气氩气体积比为1:13,总气压大小为Pa,在250℃温度下,用加速能量为2000eV的氩离子束轰击99.95%的二氧化硅靶材,沉积厚度1~5μm作为绝缘隔离层的二氧化硅隔离层;以电阻率为Ω﹒m掺硼硅为靶材,在高纯氩气的气氛中,用离子束溅射方法,生长温度为300℃,通过覆盖第一掩模板在二氧化硅隔离层上制备出厚度为1~5μm掺硼P型微晶硅条。本发明敏感层薄膜附着力强,既大大提升了量程,又提高了感应的精度和灵敏性,且提高了压力传感器的信号线性度。
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