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专利介绍
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基本信息
一种铽‑锗‑铋材料、制备方法及其应用
| 申请号 | CN201610198054.2 | 分类号 | |
|---|---|---|---|
| 申请日期 | 2016-03-31 | 有效期 | |
| 公开日期 | 2017-11-28 | 公开号 | CN105861860B |
| 发明人/设计人 | 姚**艳 | 权利人 | 苏*院 |
| 专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开了一种铽‑锗‑铋材料、制备方法及其应用。它的化学式为Tb4Ge3‑xBix，其中，x为Bi的含量，0.2≤x≤2.9；具有反Th3P4型立方晶体结构，空间群为I‑43d。本发明提供的铽‑锗‑铋材料在235～350K的温度区间呈现较大磁熵变，具有较大的磁制冷能力,良好的热、磁可逆性质，且价格低廉，是理想的室温区磁制冷材料。
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