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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
一种低电场光电子成像仪
申请号 | CN201610597107.8 | 分类号 | |
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申请日期 | 2016-07-26 | 有效期 | |
公开日期 | 2018-04-13 | 公开号 | CN106057629B |
发明人/设计人 | 刘**旷 | 权利人 | 南**学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明提供了一种低电场光电子成像仪。所述低电场光电子成像仪包括沿带电粒子运动方向依次设置的激光作用区、自由飞行管和探测器,所述激光作用区包括沿带电粒子运动方向依次相对平行间隔设置的至少四个极板,相邻两个所述极板之间形成有电势差,且在所述激光作用区内,所述电势差的方向相同。本发明的有益效果在于:所述低电场光电子成像仪在极板总电势差相同配置下实现了仪器测量过程保持低电场,使得在研究光与物质作用的测量过程中,极大降低测量仪器本身所带电场造成待测物质性质的改变。
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