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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
一种半电波暗室场均匀性测试装置及其方法
申请号 | CN201610317732.2 | 分类号 | |
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申请日期 | 2016-05-13 | 有效期 | |
公开日期 | 2018-11-23 | 公开号 | CN105823935B |
发明人/设计人 | 万**兴 | 权利人 | 南**学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开了一种半电波暗室场均匀性测试装置,包括半电波暗室和控制室,控制室位于半电波暗室外,且半电波暗室和控制室互为独立空间,半电波暗室内设置有发射天线和全向场探头,且发射天线和全向场探头之间的地上铺设有吸波材料;控制室内设置有信号发生器,信号发生器依次连接有功率放大器和定向耦合器,定向耦合器通过射频电缆连接位于半电波暗室内的发射天线。本发明能够对不同尺寸的半电波暗室进行场均匀性的测试,能够根据不同的半电波暗室尺寸,寻找到在电磁辐射抗扰度试验中EUT的最佳位置,从而能够更加准确的评估EUT的抗干扰性能,使结果更加的准确可靠,提高了测试效率,有效降低了测试成本和生产成本。
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