一种巨压阻双谐振质量传感器及其制作方法

本发明公开了一种巨压阻双谐振质量传感器及其制备方法，包括传感器芯片和外部电路，其特征是，所述传感器芯片包括两个通过细纳米杆相连的谐振式传感器芯片和温度补偿装置芯片，所述谐振式传感器芯片包括谐振式传感器的敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层、铝顶层、激励电极、激励电极引出端电极和检测电极，所述硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层从下至上依次设置，所述的铝顶层与硅顶层处于同一层。本发明中的单晶硅纳米谐振薄膜表面通过修饰工艺处理过，带有残余应力，比传统硅压阻式谐振膜的应变系数高约2‑3个数量级。此外，为消除温度对压阻阻值变化的影响，在本发明中引入了温度补偿装置，大大地提高了测量的分辨率与灵敏度。