一种3GHz横电磁波小室的设计方法

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专利号CN105652122B
申请日2016-01-29
专利类型: 未知
发明人万**祥
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刘欢

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基本信息

一种3GHz横电磁波小室的设计方法
申请号 CN201610064947.8 分类号
申请日期 2016-01-29 有效期
公开日期 2019-03-12 公开号 CN105652122B
发明人/设计人 万**祥 权利人 南**学
专利类型 未知 十象顾问 刘欢 联系TA

摘要介绍

本发明公开了一种新型3GHz横电磁波小室,包括内导体、外导体,所述内导体设置有外导体内;所述内导体包括中间段内导体、渐变段内导体;所述中间段内导体设置为长方形结构,所述渐变段内导体设置为等腰梯形结构,中间段内导体两端连接有渐变段内导体;所述外导体包括中间段外导体、渐变段外导体;所述中间段外导体设置为长方体结构,所述渐变段外导体设置为四棱台结构,所述中间段外导体两端连接有渐变段外导体。本发明提供的一种新型3GHz横电磁波小室,达到了改善工作区场分布均匀性、降低高次模影响及扩大工作频段等目的。

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