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专利介绍
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基本信息
一种β-AgVO3纳米线硫化氢气敏材料及其用于制作气敏传感器的方法
申请号 | CN201010184423.5 | 分类号 | |
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申请日期 | 2010-05-20 | 有效期 | |
公开日期 | 2012-01-11 | 公开号 | CN101830509B |
发明人/设计人 | 麦**林 | 权利人 | 武*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
一种β-AgVO3纳米线硫化氢气敏材料及其用于制作气敏传感器的方法。β-AgVO3纳米线的直径为100~700nm、长达15~40微米。基于单根β-AgVO3纳米线的硫化氢气敏传感器的制法:以V2O5溶胶和Ag2O粉末物质的量之比为1∶1为原料,采用流变相自组装法制备得到β-AgVO3纳米线产物;用电子束刻蚀和真空蒸镀将金电极沉积到表面有一层30~100nm厚的SiO2的Si基片上;将β-AgVO3纳米线产物置于乙醇中超声分散后滴在表面有一层30~100nm厚的SiO2的Si基片上,选取分散较好的单根β-AgVO3纳米线定位在金电极上;采用聚焦离子束技术在两端电极接触点沉积一层300~600nm厚的金属Pt,即制得单根β-AgVO3纳米线的硫化氢气敏器件。本气敏传感器件,对硫化氢气体分辨率高,响应时间短,灵敏度高,选择性好,工作温度相对较低。
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