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专利介绍
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基本信息
一维锰氧化物/碳同轴中空纳米棒及其制备方法和应用
申请号 | CN201410552768.X | 分类号 | |
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申请日期 | 2014-10-17 | 有效期 | |
公开日期 | 2017-01-11 | 公开号 | CN104300136B |
发明人/设计人 | 麦**雨 | 权利人 | 武*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明涉及一维锰氧化物/碳同轴中空纳米棒及其制备方法,该纳米棒长度为2‑3μm,直径100‑200nm,碳的厚度为25‑35nm,中空结构的厚度为10‑20nm,采用下述方法制得,包括有以下步骤:1)将锰氧化物/二氧化硅/碳复合纳米棒分散在1.0‑2.0mol/L的氢氧化钠溶液中,搅拌使其混合均匀;2)将步骤1)得到的混合溶液在70‑90℃恒温水浴条件下慢速搅拌18‑24小时;3)用水和无水乙醇反复洗涤步骤2)所得产物直至pH值为7,干燥即得到一维锰氧化物/碳同轴中空纳米棒。本发明的有益效果是:表现出较高的比容量,较好的倍率性能和良好的循环稳定性,使其成为锂离子电池的潜在应用材料。
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