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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
单根纳米线电化学器件及其组装、原位表征的方法
申请号 | CN201010275021.6 | 分类号 | |
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申请日期 | 2010-09-08 | 有效期 | |
公开日期 | 2012-09-05 | 公开号 | CN101924202B |
发明人/设计人 | 麦**华 | 权利人 | 武*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
一种单根纳米线电化学器件及其组装、原位表征的方法。将氧化钒纳米线等纳米线正极和高序热解石墨片等纳米薄膜负极,或硅纳米线等纳米线负极和LiCoO2等纳米薄膜正极分散在基片上,采用电子束光刻等技术分别在纳米线和纳米薄膜的两端制作金属电极作为集流体;然后采用PECVD等技术在金属集流体上沉积氮化硅,或旋涂光刻胶作为集流体的保护层;最后将聚合物电解质滴涂在基片的表面,完成单根纳米线电化学器件的组装。对电化学器件进行充放电测试,然后对不同充放电状态下单根纳米线电极进行原位的电输运性能测试和微区拉曼光谱分析等,建立纳米线电极材料的电输运、结构与电化学性能的直接联系,为电池诊断等提供一种平台,并可为纳米器件提供支撑电源。
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