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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
全光纤F-P氢气传感器及其氢气敏感膜的制备方法
| 申请号 | CN201410465506.X | 分类号 | |
|---|---|---|---|
| 申请日期 | 2014-09-12 | 有效期 | |
| 公开日期 | 2016-08-31 | 公开号 | CN104266975B |
| 发明人/设计人 | 童**畔 | 权利人 | 武*学 |
| 专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明是一种全光纤F‑P氢气传感器及其氢气敏感膜的制备方法，传感器结构主要由全光纤F‑P谐振腔、敏感膜定向膨胀限制块、固定部件、传感器封装部件等组成；采用脉冲激光沉积工艺在较低的温度下直接将一定厚度的Pd‑Ag合金敏感膜沉积于全光纤F‑P谐振腔敏感玻片的外层,敏感膜定向膨胀限制块的一面通过固定部件仅仅与敏感膜相接触，限位膨胀块为多孔陶瓷材料，可以吸收氢气，当敏感膜吸收氢气发生定向膨胀，压缩减小F‑P的腔长,通过对全光纤F‑P谐振腔腔长解调，测量氢气浓度变化。该制备方法保证光纤的低温镀膜,传感器的结构简单，制备方便，易于实现产业化。
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