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专利介绍
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基本信息
一种铜酸钆薄膜的制备方法
申请号 | CN201510143684.5 | 分类号 | |
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申请日期 | 2015-03-30 | 有效期 | |
公开日期 | 2017-03-22 | 公开号 | CN104726847B |
发明人/设计人 | 涂**盟 | 权利人 | 武*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明涉及铜酸钆薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将钛酸锶基板放入化学气相沉积反应腔体内的基板座上;(2)称取钆源和铜源固体原料,将两种原料分别置于相应的原料罐中;(3)将基板座的温度升至1040~1120℃,将原料罐温度分别升至200~230℃和180~200℃;(4)将含有钆源和铜源的载流气以及氧化气通入反应腔体内反应;(5)停止通入气体,关闭加热系统,冷却至室温,即得到沉积在钛酸锶基板上的铜酸钆薄膜。与现有技术相比,本发明的有益效果是:成膜速度快、反应时间短、生产效率高且组织结构可控。(001)取向的Gd2CuO4薄膜相比于无取向的Gd2CuO4薄膜具有特殊的晶体结构和物理性质。
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