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专利介绍
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基本信息
一种立方碳化硅薄膜的制备方法
申请号 | CN201410317559.7 | 分类号 | |
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申请日期 | 2014-07-04 | 有效期 | |
公开日期 | 2017-02-15 | 公开号 | CN104087909B |
发明人/设计人 | 章**盟 | 权利人 | 武*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开了一种立方碳化硅薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将单晶硅基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上,抽真空,并设置基板座温度升至100~900℃;(2)将含HMDS的载流气通入反应器内,HMDS的流量为1~20sccm,调节真空度至10~10kPa;(3)加载连续激光照射硅基板表面,波长750~1150纳米,功率为10~150W,时间为1~10分钟;(4)停止通入含有HMDS的载流气,关闭激光和停止加热,抽真空并自然冷却至室温,即得到立方碳化硅薄膜。本发明制备的立方碳化硅薄膜的面缺陷倾斜于薄膜生长方向生长,相邻缺陷相遇时能够发生“自消亡”现象,从而有效降低了材料中的晶体缺陷。
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