一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备

一种低介电损耗储能介质陶瓷材料及其制备。该陶瓷材料体系的组成为xMgO-(1-x)SrTiO3，x=0~20.0wt%。制备方法为(1)制备SrTiO3陶瓷粉体；(2)按MgO粉体的质量占陶瓷粉体总质量的0~20.0wt%加入到陶瓷粉体中配料。然后用氧化锆球和无水乙醇作为介质球磨22~24小时；将球磨后的陶瓷粉体烘干后加入该烘干粉体质量为1.0wt%~3.5wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将生胚料在升温速率1.5~3℃/min，1350~1450℃下保温2小时得到储能介质陶瓷材料。本发明得到的储能介质陶瓷在0~120kv/cm电场范围内介电常数变化率小于4.5%，在20Hz~2MHz频率范围内介电常数变化率小于1.7%，在1kHz频率测试介电常数随x在160<<300变化，介电损耗tanδ<0.003，击穿场强Eb>174.30kV/cm，储能密度γ>0.36J/cm3。