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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
| 申请号 | CN201810614958.8 | 分类号 | |
|---|---|---|---|
| 申请日期 | 2018-06-14 | 有效期 | |
| 公开日期 | 2020-08-25 | 公开号 | CN108878645B |
| 发明人/设计人 | 胡**华 | 权利人 | 江*院 |
| 专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明涉及微电子、多层相变薄膜材料的利用技术领域，具体涉及了一种Cu/SnSe多层相变薄膜材料并进一步公开其制备方法，以及Cu/SnSe多层相变薄膜材料用于高速、低功耗相变存储器的应用。本发明所述多层薄膜材料通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层，在纳米量级复合而成。通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层制作的多层相变薄膜材料取得了较好的性能优势，从而得到一种在相变前后的电阻率较大，在SET和RESET过程中所需的能量较少，大大降低PCM器件的功耗的Cu/SnSe纳米复合多层。
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