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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
用于相变存储器的铒掺杂SnSb基相变薄膜材料及薄膜制备方法
申请号 | CN201511030291.X | 分类号 | |
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申请日期 | 2015-12-31 | 有效期 | |
公开日期 | 2018-06-08 | 公开号 | CN105514271B |
发明人/设计人 | 邹**兴 | 权利人 | 江*院 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开了一种用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料,它的化学分子式为(Sn15Sb85)xEry;其中0<x≤0.92,0<y≤0.58,x+y=1.00。本发明热稳定性好,数据保持力好,低功耗。
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