一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法

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专利号CN107507914B
申请日2015-02-09
专利类型: 未知
发明人朱**荣
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刘欢

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基本信息

一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
申请号 CN201710755340.9 分类号
申请日期 2015-02-09 有效期
公开日期 2019-11-19 公开号 CN107507914B
发明人/设计人 朱**荣 权利人 江*院
专利类型 未知 十象顾问 刘欢 联系TA

摘要介绍

本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法,材料的化学组成通式为(Ge10Sb90)xN1‑x,其中x=0.68、0.63、0.60。本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量,氮元素的含量能够得到精确的控制。

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