功能化二硫化钼纳米片复合膜修饰电极及其制备方法和检测应用

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专利号CN109142476B
申请日2018-08-14
专利类型: 未知
发明人詹**霞
权利人青*学 让权利人联系我
刘欢

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基本信息

功能化二硫化钼纳米片复合膜修饰电极及其制备方法和检测应用
申请号 CN201810922756.X 分类号
申请日期 2018-08-14 有效期
公开日期 2020-07-07 公开号 CN109142476B
发明人/设计人 詹**霞 权利人 青*学
专利类型 未知 十象顾问 刘欢 联系TA

摘要介绍

本发明公开了一种功能化二硫化钼纳米片复合膜修饰电极及其制备方法和检测双酚A的应用。先在含有巯基离子液体的N,N‑二甲基甲酰胺溶液中对二硫化钼进行剥离,二硫化钼被剥离成薄片的同时被离子液体功能化,再与金纳米颗粒复合制得离子液体‑二硫化钼纳米片‑金纳米颗粒复合物,采用滴涂法制备了相应的复合膜修饰电极。所得修饰电极表面具有有效面积大、活性位点多、分散性好等特点,在提高直接电化学和电催化性能方面发挥了离子液体、二硫化钼纳米片和金纳米颗粒的协同效应,提高了修饰电极的导电性及催化性能。所得基于该修饰电极的双酚A传感器,具有检测限低、检测范围宽、响应快速等优点。

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