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专利介绍
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基本信息
一种铜离子选择分离膜及其制备方法
申请号 | CN201610114841.4 | 分类号 | |
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申请日期 | 2016-03-02 | 有效期 | |
公开日期 | 2019-11-08 | 公开号 | CN107149880B |
发明人/设计人 | 陈**莉 | 权利人 | 天*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开了一种铜离子选择分离膜及其制备方法,属于膜材料制备科学与技术领域。具体是结合离子印迹技术和水热合成法制备离子印迹介孔二氧化硅微球,随后将其与PVDF共混,通过相转化成膜方法将二氧化硅微球固定到聚偏氟乙烯(PVDF)膜孔上,制得对铜离子高吸附量、强选择性的PVDF/SiO2复合膜。本发明充分发挥了铜离子印迹介孔二氧化硅的选择性吸附特性以及PVDF膜的多孔、便于使用再生等优势,既实现对铜离子的选择性吸附,也方便了操作使用,防止SiO2在使用过程中聚集团聚。本发明制备的膜可广泛用于重金属离子废水处理方面。
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