一种半导体双异质有源层的粒子反转延长的发光二极管

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专利号CN110566823B
申请日2019-07-25
专利类型: 未知
发明人蔡*明
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刘欢

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基本信息

一种半导体双异质有源层的粒子反转延长的发光二极管
申请号 CN201910674496.3 分类号
申请日期 2019-07-25 有效期
公开日期 2020-10-30 公开号 CN110566823B
发明人/设计人 蔡*明 权利人 泉**司
专利类型 未知 十象顾问 刘欢 联系TA

摘要介绍

本发明公开了一种半导体双异质有源层的粒子反转延长的发光二极管,其结构包括:灯罩体、灯珠板、夹扣套座、环槽基座壳、翅片引脚板、结层内转机构、引脚杆,本发明实现了运用灯珠板与结层内转机构相配合,通过带正负极电流的粒子可以顺着电磁场夹持延长回转长度,达到正反转调节粒子反向运动轨迹,同时也方便反转盘体水平对位通过活塞杆与气囊罩帽锁扣平流层连通和混流粒子同转向引导效果,保障发光二极管内双异质有源层粒子碰撞消耗降低,提高粒子顺势轨迹同步吸引牵拉效果,改善双异质有源层的实心结构,形成内架空外厚壁的内部回转运动操作,让碳刷轮座槽扫动回转环形轨迹,且贴合内槽同角距刻度扭转,给粒子反转的延长形成向心区间加持。

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