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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片
| 申请号 | CN202122311125.4 | 分类号 | |
|---|---|---|---|
| 申请日期 | 2021-09-24 | 有效期 | |
| 公开日期 | 2022-04-05 | 公开号 | CN216183320U |
| 发明人/设计人 | 杜*清 | 权利人 | 杜*清 |
| 专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本实用新型公开了一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，包括防护壳，所述防护壳的内腔设置有硅片本体，所述防护壳的内腔开设有与硅片本体配合使用的安装槽，所述防护壳的左侧设置有连接凸块，所述防护壳的右侧开设有连接槽，所述防护壳包含有耐腐蚀涂层、耐腐蚀层和强度层，所述硅片本体包含有减反射膜、防护膜和芯层，所述耐腐蚀涂层位于耐腐蚀层的外表面。本实用新型设置了防护壳、耐腐蚀涂层、耐腐蚀层、强度层、硅片本体、减反射膜、防护膜、芯层、连接凸块、连接槽和安装槽，解决了传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接的问题。
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